Technical Specifications

• Loại đầu dò: Si/PIN
• Dải bước sóng: 320 - 1000 nm
• Đáp ứng Typical Maximum: 0.53 A/W @ 820 nm
• Đường kính đầu dò hoạt động: 0.8 mm
• Băng thông (3 dB): DC - 100 MHz
• Tỷ lệ khuếch đại vi sai chung: >30 dB 35 dB (Typical)
• Transimpedance Gain: High Z Load: 50 x 10^3 V/A 50 Ω Load: 24.5 x 10^3 V/A
• Conversion Gain RF-Đầu ra: 26.5 x 10^3 @ 820 nm
• Công suất bão hòa CW RF-Đầu ra: 150 µW @ 820 nm
• Voltage Swing RF-Đầu ra: High Z Load: ±4.0 V 50 Ω Load: ±1.9 V
• Đầu ra màn hình Conversion Gain: High Z Load: 10 V/mW @ 820 nm
• Đầu ra màn hình xoay điện áp (Tối đa): High Z Load: 10 V 50 Ω Load: 1.55 V (Max)
• NEP tối thiểu: 12 pW/√Hz (DC - 100 MHz)
• Đầu vào quang học: Dung lượng trống
• Ngưỡng thiệt hại điốt quang: 20 mW
• Đầu ra điện: BNC, 50 Ω
• Khớp nối đầu ra RF: DC (Khớp nối AC có sẵn theo yêu cầu)
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động (a): 0 đến 40°C
• Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: -40 đến 70°C

Package Includes