Technical Specifications

• Loại đầu dò: InGaAs APD
• Dải bước sóng: 900 - 1700 nm
• Băng thông đầu ra (3 dB) (b): DC - 10 MHz
• Đường kính vùng hoạt động: 0,2 mm
• Khả năng đáp ứng Typical Max: 18 A / W @ 1550 nm (M = 20)
• Transimpedance Gain: 250 kV / A (50 Ω kết thúc). 500 kV / A (Kết thúc Z cao)
• Conversion Gain tối đa (c): 9,0 × 10^6 V / W
• Phạm vi điều chỉnh hệ số M: 4 - 20 (Liên tục)
•  Độ ổn định nhiệt độ của hệ số M(d): ± 2% (Điển hình); ± 3% (Tối đa)
• Công suất bão hòa (CW): 0,45 µW @ 1550 nm (M = 20). 2,25 µW @ 1550 nm (M = 4)
• NEP tối thiểu (e): 0,12 pW / √Hz (DC - 10 MHz)

Package Includes