Technical Specifications

• Thông số kỹ thuật chính (a)
• Loại đầu dò:  Silicon APD
• Dải bước sóng: 400 - 1000 nm
• Băng thông đầu ra (3 dB) (b): DC - 10 MHz
• Đường kính vùng hoạt động: 1.0 mm
• Khả năng đáp ứng Typical Max: 53 A/W @ M = 100(d)
• Transimpedance Gain: 250 kV/A (50 Ω) 500 kV/A (High-Z)
• Max Conversion Gain (e): 26.5 × 10^6 V/W
• Phạm vi điều chỉnh hệ số M: 10 - 100 (Continuous)
• Độ ổn định nhiệt độ  của hệ số M(f): ± 2% (Điển hình); ± 3% (Tối đa)
• Công suất bão hòa (CW):  0.15 µW @ M = 100(d) 1.50 µW @ M = 10
• NEP tối thiểu (g): 0.04 pW/√Hz

Package Includes