Technical Specifications

• Loại đầu dò: InGaAs/PIN
• Dải bước sóng: 800 - 1700 nm
• Đáp ứng tối đa (Điển hình): 1.0 A/W
• Đường kính đầu dò hoạt động: 0.3 mm
• Băng thông (3 dB): DC - 15 MHz AC Coupled (Hậu tố -AC): 100 Hz - 15 MHz
• Tỷ lệ khuếch đại vi sai chung: > 35 dB
• Transimpedance Gain (a): 51 x 10^3 V / A
• NEP tối thiểu (b): 3.9 pW/Hz^1/2 (DC - 15 MHz)
• Đầu ra RF
• Công suất chuyển đổi RF Đầu ra (a, c): 51 x 10^3 V/W
• Đầu ra RF công suất bão hòa CW: 70 µW @ 1550 nm
• Trở kháng: 50 Ω
• Thay đổi điện áp tối đa: ± 1.8 đối với tải 50 Ω ± 3.6 V đối với tải trở kháng cao
• Chênh lệch DC: <± 3 mV
• Khớp nối đầu ra RF: DC hoặc AC
• Giám sát đầu ra
• Đầu ra màn hình Gain chuyển đổi: 10 V/mW @ 1550 nm
• Trở kháng: 220 Ω
• Điện áp tối đa Swing: 1,55 V cho 50 Ω Tải 10 V cho tải trở kháng cao
• Băng thông: DC đến 1 MHz
• Độ nhiễu điện áp: <180 µVRMS
• Độ lệch DC: <± 2 mV
• General
• Đầu vào sợi quang(d): FC / PC hoặc FC / APC (Có thể tháo rời)
• Ngưỡng thiệt hại điốt quang: 20 mW
• Đầu ra điện: SMA (Qty. 3)
• Nhiệt độ hoạt động Rangee: 0 đến 40°C
• Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: -40 đến 70°C
• Nguồn điện đi kèm (f): ± 12 V @ 250 mA (100/120/230 VAC, 50-60 Hz, Có thể chuyển đổi)

Package Includes