Technical Specifications

• Đầu dò
• Loại đầu dò: InGaAs / PIN
• Đầu vào quang học: FC / APC
• Sợi nối bên trong: HI1060
• Suy hao khớp nối: <1.0 dB (<0.4 dB Typ.)
• Bước sóng hoạt động: Optimized for 1060 nm (900 - 1400 nm Range)
• Khả năng đáp ứng (Điển hình): 0.72 A/W @ 1060 nm
• Đường kính máy dò hoạt động: 0.080 mm
• Phản xạ ngược quang học: <-40 dB
• Ngưỡng thiệt hại điốt quang Threshol (d): 5 mW
• ĐẦU RA RF
• Băng thông RF OUTPUT (3 dB): 30 kHz - 1.0 GHz
• Tỷ lệ khuếch đại vi sai chung:> 25 dB (Typ.> 30 dB)
• RF OUTPUT Transimpedance Gain: 16 x 10^3 V/A(c)
• RF OUTPUT Conversion Gain : 11.5 x 10^3 V/W @ 1060 nm(c)
• CÔNG SUẤT ĐẦU RA RF ở 1 dB Nén (c): +16.5 dBm Min +18 dBm Typ.
• Công suất bão hòa RF OUTPUT CW: Có công thức tính riêng, xem trong hướng dẫn
• Khớp nối đầu ra RF: AC Coupling Only
• Trở kháng đầu ra RF: 50 Ω
• Thay đổi điện áp tối đa: Có công thức tính riêng, xem trong hướng dẫn
• NEP tối thiểu (d): 9.0 pW/Hz^1/2 (30 kHz to 100 MHz)
• Độ nhiễu điện áp đầu ra tổng thể: <6.5 mVRMS
• MONITOR Outputs
• Trở kháng đầu ra MONITOR: 200 Ω
• Băng thông đầu ra MONITOR (3 dB): DC - 3 MHz
• Conversion Gain đầu ra MONITOR, Tải Z cao (b): 7.2 V/mW @ 1060 nm
• Đầu ra MONITOR điện áp xoay, tải Z cao: Tối đa 10 V
• Nhiễu điện áp đầu ra tổng thể: <0,65 mVRMS
• Độ lệch DC: <± 2 mV
• General
• Đầu ra điện: SMA
• Nguồn điện DC đi kèm: ± 12 V @ 250 mA (100/120/230 VAC, 50-60 Hz, Có thể chuyển đổi)
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động (f): 0°C đến 40°C
• Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: -40°C đến 70°C

Package Includes