Technical Specifications

• Đầu dò
• Loại đầu dò: InGaAs / PIN
• Đầu vào quang học: FC / APC
• Sợi nối bên trong: HI1060
• Suy hao khớp nối: <1.0 dB (<0.4 dB Typ.)
• Bước sóng hoạt động: Optimized for 1060 nm (900 - 1400 nm Range)
• Khả năng đáp ứng (Điển hình): 0.72 A/W @ 1060 nm
• Đường kính máy dò hoạt động: 0.080 mm
• Phản xạ ngược quang học: <-40 dB
• Ngưỡng thiệt hại điốt quang Threshol (d): 5 mW
• ĐẦU RA RF
• Băng thông RF OUTPUT (3 dB): DC - 400 MHz AC Coupled (Hậu tố -AC): 100 Hz - 400 MHz
• Tỷ lệ khuếch đại vi sai chung:> 25 dB (Typ.> 30 dB)
• RF OUTPUT Transimpedance Gain: 10 x 10 ^ 3 V / A (b)
• RF OUTPUT Conversion Gain : 7.2 x 10^3 V/W @ 1060 nm(b)
• CÔNG SUẤT ĐẦU RA RF ở 1 dB Nén (c): -
• Công suất bão hòa RF OUTPUT CW: 530 µW @ 1060 nm
• Khớp nối đầu ra RF: DC hoặc AC
• Trở kháng đầu ra RF: 50 Ω
• Thay đổi điện áp tối đa: ± 1,9 V cho tải 50 Ω ± 3,8 V cho tải trở kháng cao
• NEP tối thiểu (d): 8 pW / Hz^1 / 2 (DC đến 100 MHz)
• Độ nhiễu điện áp đầu ra tổng thể: <2.0 mVRMS
• MONITOR Outputs
• Trở kháng đầu ra MONITOR: 200 Ω
• Băng thông đầu ra MONITOR (3 dB): DC - 3 MHz
• Conversion Gain đầu ra MONITOR, Tải Z cao (b): 7.2 V/mW @ 1060 nm
• Đầu ra MONITOR điện áp xoay, tải Z cao: Tối đa 10 V
• Nhiễu điện áp đầu ra tổng thể: <0,65 mVRMS
• Độ lệch DC: <± 2 mV
• General
• Đầu ra điện: SMA
• Nguồn điện DC đi kèm: ± 12 V @ 250 mA (100/120/230 VAC, 50-60 Hz, Có thể chuyển đổi)
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động (f): 0°C đến 40°C
• Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: -40°C đến 70°C

Package Includes